Artikel 2

1. Het depot van een topografie van een halfgeleiderprodukt geschiedt door de indiening in drievoud van een geschrift bij het Bureau.

2. Het geschrift bevat de gegevens, bedoeld in artikel 8, eerste lid, van de Wet. De aanduiding van de topografie bestaat uit de benaming en een functionele omschrijving van de topografie in niet meer dan 15 woorden.

3. De deposant dient voor het depot een formulier te gebruiken, waarvan het model wordt vastgesteld door het Bureau.