Artikel 1

1. In deze richtlijn wordt verstaan onder:

a) "halfgeleiderprodukt": een produkt in zijn definitieve of intermediaire vorm:

   i) dat bestaat uit een plak materiaal die een laag halfgeleidermateriaal bevat, en

   ii) waarop volgens een vooraf bepaald driedimensionaal patroon een of meer lagen    geleidend, isolatie- of halfgeleidermateriaal zijn aangebracht, en

   iii) dat bestemd is om uitsluitend elektronische functies of elektronische en andere functies te zamen te vervullen;

b) "topografie" van een halfgeleiderprodukt: een reeks samenhangende beelden, op enigerlei wijze vastgelegd,

   i) die het driedimensionale patroon van de lagen weergeven waaruit het halfgeleiderprodukt is samengesteld, en

   ii) waarin elk beeld het patroon of een gedeelte van het patroon van een oppervlak van het halfgeleiderprodukt in enig stadium van zijn vervaardiging voorstelt;

c) "commerciële exploitatie": de verkoop, verhuur, leasing of het op andere wijze commercieel in het verkeer brengen, dan wel het aanbieden voor deze doeleinden. De commerciële exploitatie in de zin van artikel 3, lid 4, artikel 4, lid 1, en artikel 7, leden 1, 3 en 4, omvat echter niet de exploitatie onder voorwaarde van vertrouwelijkheid voor zover daarbij geen verspreiding onder derden plaatsvindt, met uitzondering echter van de vertrouwelijke exploitatie van een topografie die vereist is krachtens een maatregel overeenkomstig artikel 223, lid 1, onder b), van het EEG-Verdrag.

2. De Raad kan op voorstel van de Commissie met gekwalificeerde meerderheid van stemmen lid 1, onder a) i) en ii), wijzigen, om deze bepalingen aan te passen aan de technische vooruitgang.